1. <output id="jdrcg"></output>

      <output id="jdrcg"><font id="jdrcg"></font></output>

      <dl id="jdrcg"><font id="jdrcg"><nobr id="jdrcg"></nobr></font></dl>
        <dl id="jdrcg"><font id="jdrcg"><thead id="jdrcg"></thead></font></dl>
        <li id="jdrcg"></li>
        1. <li id="jdrcg"></li>
        2. <dl id="jdrcg"></dl><dl id="jdrcg"><s id="jdrcg"></s></dl>

          1. 日本ROHM首次實現1700V SiC功率模塊商業化,在極端環境下具有高可靠性

              近日,日本功率半導體制造商ROHM公司宣布開發出額定功率為1700V / 250A的SiC功率模塊,該功率模塊可提供業界最高水平的可靠性,針對室外發電系統和工業高功率電源等領域應用的逆變器和轉換器應用了進行優化。

              

             

              產品意義

              近年來,由于其節能優勢,SiC在電動汽車(EV)和工業設備等1200V應用中得到了越來越多的應用。功率密度更高的趨勢導致更高的系統電壓,增加了對1700V產品的需求。然而,當前的器件難以實現所需的可靠性,因此硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常優選用于1700V應用。

              為此,ROHM能夠在1700V時實現高可靠性,同時保持其1200V SiC產品的節能性能,實現了所謂的1700V級SiC功率模塊的首次商業化。

              

             

              產品性能

              新型BSM250D17P2E004產品引入了一種新的封裝方法和涂層材料,以保護芯片免受介電擊穿,并抑制漏電流的增加,使模塊能夠通過HV-H3TRB可靠性測試。例如,在這種高壓、高溫、高濕度反向偏壓測試期間,當在85&deg;C和85%濕度下施加1360V超過1000小時時,器件沒有出現故障,不同于傳統IGBT模塊,通常在1000小時以內因電介質擊穿而導致失效。為確保最高水平的可靠性,ROHM以不同的間隔測試了模塊的漏電流,最高阻斷電壓為1700V。

              

             

              將ROHM經過驗證的SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosFET)和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)整合到同一模塊中并優化內部結構,可使其導通電阻比其他同等級SiC產品低10%。ROHM表示,這可以在任何應用中實現更好的節能和減少散熱。

              未來工作

              展望未來,ROHM的目標是繼續擴大其產品陣容,同時提供評估板,以便輕松測試和驗證其SiC模塊。

            相關文章