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          1. 三菱電機開始發售功率半導體「1200V SiC-SBD」

              為降低電源系統的耗電量、縮小其體積做出貢獻

              開始發售功率半導體「1200V SiC-SBD」

              近日,三菱電機株式會社發布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二極管),該產品有利于降低太陽能發電系統、EV充電器等系統的損耗和體積。預計將于2019年6月提供樣品,2020年1月開始發售。本產品將在&ldquo;TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-&rdquo;(4月17日~19日于日本幕張舉行), &ldquo;PCIM Europe2019展&rdquo;(5月7~9日于德國紐倫堡舉行), &ldquo;PCIM※1 Asia2019展&rdquo;(6月26~28日于中華人民共和國上海舉行)上展出。

              ※1 Silicon Carbide:碳化硅

              ※2 Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管

              

             

              新產品的特點

              1.通過采用SiC,有利于降低系統損耗和體積

              ?通過使用SiC大幅降低開關損耗,降低約21%的電力損耗※3

              ?實現高速開關,有利于縮小電抗器等配套零部件的體積

              ※3 與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊&ldquo;DIPPFCTM&rdquo;上搭載的Si(硅)二極管相比

              2.通過采用JBS結構,提高可靠性

              ?采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構

              ?通過JBS結構提高浪涌電流耐量,從而提高可靠性

              ※4 Junction Barrier Schottky

              3.由5個產品構成的產品陣容可對應各種各樣的用途

              ?除了通常的TO-247封裝外,還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

              除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途

              ?產品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產品(BD20120SJ),也可對應車載用途

              ※5 Automotive Electronics Council:車載電子零部件質量規格

              發售概要

              

             

              銷售目標

              近年來,出于節能環保的考慮,人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊,廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等,為降低家電及工業機械的耗電量,縮小其體積和重量做出了貢獻。

              在這一背景下,此次將發售采用了SiC的功率半導體&ldquo;SiC-SBD&rdquo;。在電源系統中應用&ldquo;SiC-SBD&rdquo;,將為降低客戶的系統耗電量,縮小體積做出貢獻。

              本產品的開發得到了日本&ldquo;New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)&rdquo;的支持。

              ※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬酸化膜半導體製の電界効果トランジスタ

              主要規格

              

             

              ※7 8.3msec, sine wave

              SiC-SBD系列的產品陣容

              

             

              粗框內為本次的新產品。

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