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          1. Soitec收購EpiGaN nv,氮化鎵(GaN)材料加入優化襯底產品組合

            Soitec宣布收購EpiGaN nv,增強其優化襯底產品組合氮化鎵(GaN)材料優勢此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率中國北京,2019年5月16日&mdash;&mdash;作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業,法國Soitec半導體公司宣布,已與歐洲領先的氮化鎵(以下簡稱Ga&hellip;

              Soitec宣布收購EpiGaN nv,增強其優化襯底產品組合氮化鎵(GaN)材料優勢

              此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率

              中國北京,2019年5月16日&mdash;&mdash;作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業,法國Soitec半導體公司宣布,已與歐洲領先的氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協議,以3,000萬歐元現金收購EpiGaN公司。同時,這一協議還將根據盈利能力支付計劃支付額外的獎金。 EpiGaN的GaN產品主要用于RF(射頻)、5G、電子元器件和傳感器應用。預計未來五年內,GaN技術的市場應用規模將達到每年50萬至一百萬個晶圓。

              Soitec首席執行官Paul Boudre表示:&ldquo;目前,GaN技術在射頻和功率市場中的應用備受矚目。GaN 外延硅片材料與Soitec目前的優化襯底產品系列將形成戰略上的天作之合。收購EpiGaN進一步擴展并補充了Soitec的硅產品組合,為射頻、5G和功率系統創造了新的工藝解決方案,為用戶增效。&rdquo;

              在移動領域,實現性能、低功耗和成本的共同優化至關重要。與4G相比,5G 低于6GHz頻段和毫米波的到來正在推動新一代基站的發展,它需要更高能效、更高性能、更小、更有經濟效益的功率放大器(PA)。更小、更輕、更高效和更具成本效益是當今基站設計的趨勢,Soitec將擴展其應用于PA的產品組合,并以GaN產品領銜這一趨勢。

              EpiGaN聯合創始人兼首席執行官Marianne Germain博士表示,&ldquo;多年來,EpiGaN在GaN技術領域備受行業認可,目前研制出并優化了一種可投入使用的技術,應用于5G寬帶網絡應用。我們的技術為Soitec的客戶創造了絕佳的機會,可以針對新興高增長市場快速開發產品解決方案,例如射頻設備、高效電源開關設備和傳感器設備。&rdquo;

              EpiGaN總監兼基石投資公司LRM代表Katleen Vandersmissen則表示:&ldquo;EpiGaN開發的GaN技術開啟了許多未來機遇。我們相信作為EpiGaN的卓越合作伙伴,Soitec將充分挖掘EpiGaN的市場發展潛力。&rdquo;

              此外,鑒于GaN在功率晶體管設計中的應用,收購EpiGaN還將為Soitec現有的Power-SOI產品創造新的增長空間。Power-SOI和GaN均可滿足智能化、節能化和高可靠的集成電路設備對于綜合高壓和模擬功能的要求,以便廣泛應用于消費電子、數據中心、汽車和工業市場。EpiGaN將被整合成為Soitec的一個業務部門。

              日程

              Soitec將于2019年6月13日在巴黎舉行資本市場日。

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