1. <output id="jdrcg"></output>

      <output id="jdrcg"><font id="jdrcg"></font></output>

      <dl id="jdrcg"><font id="jdrcg"><nobr id="jdrcg"></nobr></font></dl>
        <dl id="jdrcg"><font id="jdrcg"><thead id="jdrcg"></thead></font></dl>
        <li id="jdrcg"></li>
        1. <li id="jdrcg"></li>
        2. <dl id="jdrcg"></dl><dl id="jdrcg"><s id="jdrcg"></s></dl>

          1. 迎5G時代,北方華創助力MEMS產業新發展

            ??10月23日-25日,首屆中國MEMS制造大會在蘇州金雞湖會議中心成功舉辦。本次大會由中國半導體協會MEMS分會主辦,是國內首次以MEMS制造產業鏈為主題的行業大會,旨在整合產業資源,增強全產業聯動,進一步推動MEMS產業領域的新發展。北方華創微電子在大會上發表了題為《5G芯片的刻蝕需求及北方華創的解決方案》的演講,重點介紹了北方華創在5G相關MEMS制造領域的最新技術進展。

            ??5G通信技術的開放性架構特點能夠提供互聯萬物的網絡基礎,并兼備大容量數據傳輸能力。5G的推廣應用必將推動IOT、汽車電子、機器人、VR/AR等生態領域的進一步發展和成熟。MEMS器件作為萬物互聯不可或缺的“神經末梢”,將迎來新的發展機遇和市場空間。5G對于高頻器件的需求,也推動了高頻GaN RF芯片、高頻GaN Power芯片、SiC Power芯片以及GaAs Sensors等化合物芯片產業鏈的初步形成。



            ??北方華創多年來精耕MEMS領域,攻關前沿半導體技術,能夠為5G網絡建設提供多樣化的國產裝備及工藝解決方案。NAURA HSE系列刻蝕設備針對MEMS硅刻蝕工藝研發,已通過多年量產驗證,性能穩定;GSE C200刻蝕設備針對GaN/GaAs/IR紅外傳感等III-V和II-VI材料研發,刻蝕材料范圍廣,兼具低速低損傷的原子層(ALE)刻蝕能力;GDE C200專為SiC背部通孔刻蝕、SiC柵槽刻蝕設計,工藝兼容性良好,能夠完全滿足器件制程要求。

            5G時代開啟,萬物智聯來臨,包括MEMS在內的半導體產業將迎來巨大的機遇。北方華創愿與業界同仁加強合作,攜手共迎5G時代,帶給產業無限可能。

            相關文章